半导体光电材料论文题目有哪些要求

半导体光电材料论文题目有哪些要求

目前制造半导体器件常用的材料多是单晶元素的硅(si)

不要选别人没做过的题目。不要选太旧的题目。选题面要窄不要宽，选题方向尽量可能具体，选题范围越宽写作难度就会越大。题目一个研究内容即可，千万不要出现两个或两个以上研究内容。选题要符合自身专业不能跑偏。

论文的题目不要太浮夸了，也不要用比喻句什么的，最好是一句话就能点名中心，论文基本上就是当成说明文来写，所以一定要严谨

1．准确得体要求论文题目能准确表达论文内容，恰当反映所研究的范围和深度。常见毛病是：过于笼统，题不扣文。关键问题在于题目要紧扣论文内容，或论文内容民论文题目要互相匹配、紧扣，即题要扣文，文也要扣题。这是撰写论文的基本准则。2．简短精炼力求题目的字数要少，用词需要精选。至于多少字算是合乎要求，并无统一的“硬性”规定，一般希望一篇论文题目不要超出20个字，不过，不能由于一味追求字数少而影响题目对内容的恰当反映，在遇到两者确有矛时，宁可多用几个字也要力求表达明确。若简短题名不足以显示论文内容或反映出属于系列研究的性质，则可利用正、副标题的方法解决，以加副标题来补充说明特定的实验材料，方法及内容等信息使标题成为既充实准确又不流于笼统和一般化。3．外延和内涵要恰如其分“外延”和“内涵”属于形式逻辑中的概念。所谓外延，是指一个概念所反映的每一个对象；而所谓内涵，则是指对每一个概念对象特有属性的反映。命题时，若不考虑逻辑上有关外延和内涵的恰当运用，则有可能出现谬误，至少是不当。4．醒目论文题目虽然居于首先映入读者眼帘的醒目位置，但仍然存在题目是否醒目的问题，因为题目所用字句及其所表现的内容是否醒目，其产生的效果是相距甚远的。有人对36种公开发行的医学科技期刊1987年发表的论文的部分标题，作过统计分析，从中筛选100条有错误的标题。在100条有错误的标题中，属于“省略不当”错误的占20%；属于“介词使用不当”错误的占12%)。在使用介词时产生的错误主要有：①省略主语——第一人称代词不达意后，没有使用介词结构，使辅助成分误为主语；②需要使用介词时又没有使用；③不需要使用介词结构时使用。属于“主事的错误”的占11%；属于“并列关系使用不当”错误的占9%；属于“用词不当”、“句子混乱”错误的各占9%，其它类型的错误，如标题冗长、文题不符、重复、歧意等亦时有发生。

半导体光电材料论文题目有哪些

绿色环保是由标准的，有些要求无铅，有些要求无汞，有些是ROHS的，很多半导体器件是满足无铅和RoHS的。

好多指示灯就是发光二级管 常见的太阳能电池板的半导体材料是硅 很多自动门装置的光电探测器也是半导体材料做的 激光器，LED等都是半导体材料做的 机器人中很多零件的材料就是半导体

半导体光电材料论文题目有哪些类型

有博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目，中微科技化合物半导体材料研究中心落户成都邛崃，华通芯电第三代化合物半导体项目，三安光电拟160亿在长沙投资化合物半导体项目，江苏任奇芯片制造、封测、研发的产业化基地，郑州航空港实验区第三代化合物半导体SiC生产线，中科院半导体所氮化镓材料与器件项目。有一些材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，常常被成为半导体。半导体是易受温度光照，杂质等因素的影响，半导体是制造电子元件的重要材料，二极管，三极管都是半导体制成的。

能进行和实现光电转换的半导体材料就叫半导体光电材料。

光电效应可分为：1、外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。2、 内光电效应：指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。3、光生伏特效应：利用光势垒效应，光势垒效应指在光的照射下，物体内部产生一定方向的电势。光电池是基于光生伏特效应制成的，是自发电式有源器件。

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半导体光电材料论文题目有哪些及答案

不懂，碳纤材料是导电的，低密度高强度耐高温耐腐蚀打个广告，有需要了解的可以联系

收稿日期：!""! # $" # $%&基金项目：广东省自然科学基金资助项目（’%"!(’，’%")*+，""$!*’），光通信多模光纤出射光束光强分布的研究齐晓玲，王福娟，蔡志岗，江绍基（中山大学光电材料与技术国家重点实验室，广东广州!"#$%!）摘要： 采用横向偏移法测量以-/ 为激励源的多模光纤纤芯截面光强分布和出射光束的传输特性，将光强分布从近距光强分布和远距光强分布两方面进行讨论，比较分析了理论曲线与实验曲线，指出-/ 作为光源的多模光纤光强分布非常有利于光耦合，并可通过测量多模光纤光强分布得到光纤数值孔径的大小。关键词： 光耦合；光强分布；数值孔径中图分类号： 01!2) 文献标识码： 3 文章编号： $""$ # 2%+%（!"")）"! # "$$( # "*&’()’*+(， -+*(+/0(+1’ 12 4’*5+(()6 7)45 12 809(+516) :;(+<49 =+/)45 6789:;7<=，>31? @A:BA8<，C35 DE7:=8<=，F531? GE89:B7（3>) ?(4() @)， A4/B 12 :;(1)9)<(1’+< 84()+49* 4’6 3)<>’19B ，C>1’D*>4’ E’+F)*+(，，G04’DH>10 !"#$%!，IJK）L/*(4<(： HI AJ7<= KEL MLKE9N 9O KP8/W）系统的应用，全光交换成为新一代全光网的核心技术。光耦合包括光纤之间、光纤与光源之间、光纤与探测器之间的耦合，是构成全光交换的重要技术［$］。研究光纤出射光束的光强分布对有效光耦合，即耦合对准时间短、耦合损耗小，起关键性作用。横向偏移法［!］是一种用于探测光纤出射光束光强分布的方法。目前，广泛使用的远场法［)］（ 0P8?，@53？2@= A ;?B>，［>］ %751CD751C ’ ， EF:C2@ ’ ， #GH826752@2C8 9C867 2765C7I9C66765 J76 @I 732C8@G 54C281 9@26CK ［ L ］， L，"C867HGH82679@81@IC8@G $D52H95，+BBM，!（*）：>;+ N >;?，［;］ %@O@2H )，&5@1C P，EFI@O@51C ’，H2 @G， &IC572673C8 H281CI=7J 5CGC87I CI %"&’ 57GF2C7I5［L］， $HI5765 @IQ &82F@2765 &，+BB>，;*：!+ N !?，［*］ $@667 R "，-6CQ@ /，SGC52 T S /，H2 @G， #JJH82 7J 5F6J@82@I27I 5F6J@8H UF@GC2D 7J 5CGC87I 9C867526F82F6H5 H281HQ CI5@2F6@2HQ %"&’T 57GF2C7I5 ［&］， #VP)$#W$)P$ XYYY，%1H+;21 #F673H@I (7IJH6HI8H 7I $7GCQZ$2@2H %6@I5QF8H65［(］，WH21H6G@IQ5，$H32H9OH6 +> N +!，+BBB，;[B N ;B>，［! ］ $FGGC/@I R， )JJ76Q - T， &]GFJC " #， %H26@Z9H21DG@997ICF9 1DQ67KCQH（ %"&’） 36HJH6HI2C@G H281CI= J76CIJ6@6HQ 3CKHG @66@D5［ &］， %H81IC8@G /78F9HI2 ;<<<，作者简介：罗元（+B?> N ），+BB; 年毕业于浙江大学，+BBM年在重庆邮电学院获工学硕士学位，现为重庆大学光电工程学院博士生，研究方向为光纤通信及"#"$ 光通信器件，已在国内外刊物和国际学术会议上发表论文近+< 篇。!"#$%&：!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!9HGF7DF@I^>M;， IH2（上接第+>< 页）! 结论我们采用横向偏移法测量了多模光纤出射光束的光强分布，并从近距光强分布和远距光强分布两部分进行了分析。0#/ 可以激发出多模光纤的所有模式，光功率在纤芯截面上呈均匀分布，随着探测光纤与被探测光纤端面的距离增大，光纤出射光束在空气中传输超过+;<<>，+*（;）：;<+ N ;<;，［>］ "@68F5H /， R6CI8C3GH5 7J 732C8@G JCOH6 9H@5F6H9HI25［"］，WH4 _76]：&8@QH9C8 R6H55，+B[+，［; ］ R1CGC3Z81@IQD R， &I 732C8@G JCOH6 5HI576 J76 OC7JCG99H@5F6H9HI2 F5CI= CI2HI5C2D 97QFG@2C7I @IQ C9@=H @I@GD5C5［L］， Y### L， $HGH82HQ %73C85 CI ‘F@I2F9 #GH8267IC85，><<<，M（!）：?M* N ??>，［*］ aC5CI W ， R@55D P ， RH6ID - ， )32C8@G JCOH681@6@82H6Cb@2C7I OD 5C9FG2@IH7F5 9H@5F6H9HI2 7J 21H26@I59C22HQ @IQ 6HJ6@82HQ IH@6 JCHGQ［ L ］， L， 0C=124@/H%H81I7G， ，+BB;，（+）：[?! N [[;，［!］ %5F81CD@ ’ ， W@]@=79H ’ ， /7FOGH H88HI26C887IIH82765 J76 732C8@G JCOH65 ［L］， &33G， )32， ，+B??，+M（!）：+ ;>; N + ;;+，［M］ 彭吉虎，吴伯瑜， 光纤技术及应用［"］， 北京：北京理工大学出版社，+BB!， !B N M>，作者简介：齐晓玲（+B?> N ），女，山西太原人，+BBM 年毕业于南京邮电学院无线电工程系，><<< 年开始攻读硕士学位，主要从事信息光子学的研究。!"#$%&：UKGOHGG^5CI@， 879+;< 万方数据多模光纤出射光束光强分布的研究作者： 齐晓玲， 王福娟， 蔡志岗， 江绍基作者单位： 中山大学，光电材料与技术国家重点实验室，广东，广州，510275刊名：半导体光电英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS年，卷(期)： 2003，24(2)引用次数： 12次参考文献(6条)Peter Y A Micro-optical fiber switch for a large number of interconnects using a deformable mirror2002(3)Marcuse D Principles of optical fiber measurements Philip-chandy P An optical fiber sensor for biofilm measurement using intensity modulation andimage analysis 2000(5)GisinNPassy RPerny B Optical fiber characterization by simultaneous measurement of thetransmitted and refracted near field 1993(1)Tsuchiya HNakagome H Double eccentric connectors for optical fibers 1977(5)彭吉虎吴伯瑜光纤技术及应用 1995相似文献(8条)学位论文齐晓玲 光通信元器件中光耦合的研究 2003该文对光通信元器件中的光耦合进行了深入的研究主要内容包括:首先，对光耦合理论的研究该文从光线理论和电磁波理论出发，综述了光纤耦合的插入损耗、传光特性的理论，深入研究了普遍适用于光通信中计算耦合效率的理论公式其次，进行了光纤间耦合实验分析了多模光纤出射光束的光强分布，研究了存在轴向偏移、横向偏移或其他因素时对光耦合的影响最后，在深入讨论光纤间耦合实验结果和理论分析光纤与波导间耦合的基础上，综述了光纤端面修饰的各种方法，理论研究了SMF+GIF光纤对模场半径的改变，并与实验结果进行了比较，为更好的得到不同光元器件的耦合进行了有意义的尝试期刊论文程湘王宇华段发阶叶声华CHENG XWANG Yu-DUAN Fa-YE Sheng-hua 光纤间光的耦合研究-光电子·激光2005，16(4)使用简化为一维积分的数值方法计算分析了光纤耦合效率和接收光功率，为应用时的设计计算和测量数据的分析计算提供了一个准确方法5/125多模光纤在高斯光强分布下的数值计算结果与实验测量结果的一致性表明，高斯光束可以较好地表示光纤光强的分布对光纤耦合系数和近场范围内的光纤接收光强的测量数据的分析必须使用准确的方法计算，近似方法存在较大的误差学位论文秦华 固体激光介质对泵浦光的吸收理论与Cr<'4+>：YAG调QNd：YVO<，4>激光器实验及耦合系统分析2005激光二极管泵浦代替灯泵浦是固态激光器发展的历史选择，一是因为激光二极管泵浦的固体激光器比灯泵浦的固体激光器有更高的效率和更好的频率稳定性且线宽变窄；二是相对于直接使用激光二激管本身，激光二极管泵浦的固体激光器线宽窄、峰值功率高、亮度高等优点。 本文从固体激光器的发展历史出发，阐述了二极管泵浦的全固化激光器在激光器领域中重要地位的形成及发展趋势，对其存在的问题及解决这些问题已有的做法也作了简单的总结。本文还在如下几个方面作了新探索。 激光晶体对泵浦光的吸收亦即泵浦光在激光介质中的变化。 迄今为止，人们一直使用比尔公式(I=I0e-βL，β为吸收系数，L为光在激光介质中的传输距离，I0为入射光强，I为L处光强)来计算固体激光介质中抽运光强度的变化。但是本文认为比尔公式存在一个应用范围，即入射光强I0较小时此公式才适用。本文从激光介质中能量传输和能级跃迁速率方程出发，在一定的近似条件下，给出了抽运光强度变化的解析解。结果表明，在一定传输距离范围内，随着抽运光能量密度的增大，增益介质对抽运光的吸收规律逐渐由指数函数变为近似线性函数。把这个理论应用于具体激光晶体，给出了泵浦光在激光晶体中随传输距离指数变化、线性变化范围以及介于这两者之间的泵浦光的变化规律。论文第二章介绍了这方面的工作。 全固化激光器中激光晶体与泵浦光的耦合尤其是大尺寸激光二极管阵列的光耦合是高效全固化激光器的关键问题。本文根据激光二极管的发光特性，分析了由微柱透镜阵列和透镜导管组成的耦合系统。较之前人的分析，本文给出了详细的数学处理过程，结合此数学处理方法用Matlab编制了一整套程序，包括模拟光线在耦合器件中的传输过程程序、光束通过耦合器件后光强在垂直光传输方向上光强分布程序及光耦合效率程序。其中对于透镜导管的模拟结果得到了与前人不同的结论，即光束经过透镜导管后随着离透镜导管出口越来越远光斑分裂。而这之前一直认为透镜导管出口后的光强是准高斯分布。本论

能进行和实现光电转换的半导体材料就叫半导体光电材料。

半导体物理迅速发展及随晶体管发明使科家早50代设想发明半导体激光器60代早期组竞相进行面研究理论析面莫斯科列别捷夫物理研究所尼古拉·巴索夫工作杰19627月召固体器件研究际议美麻省理工院林肯实验室两名者克耶斯（Keyes）奎斯特（Quist）报告砷化镓材料光发射现象引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）极兴趣家火车写关数据家哈尔立即制定研制半导体激光器计划并与其研究员道经数周奋斗计划获功像晶体二极管半导体激光器材料p-n结特性敞弗搬煌植号邦铜鲍扩基础且外观亦与前者类似半导体激光器称二极管激光器或激光二极管早期激光二极管实际限制例能77K低温微秒脉冲工作8间才由贝尔实验室列宁格勒（现圣彼堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造能室温工作连续器件足够靠半导体激光器则直70代期才现半导体激光器体积非米粒工作波依赖于激光材料般6～55微米由于种应用需要更短波器件发展据报导Ⅱ～Ⅳ价元素化合物ZnSe工作物质激光器低温已46微米输波50～51微米室温连续器件输功率已达10毫瓦迄今尚未实现商品化光纤通信半导体激光预见重要应用领域面世界范围远距离海底光纤通信另面则各种区网者包括高速计算机网、航空电系统、卫通讯网、高清晰度闭路电视网等目前言激光唱机类器件市场其应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示及各种医疗应用等晶体管利用种称半导体材料特殊性能电流由运电承载普通金属铜电导体电没紧密原核相连容易电荷吸引其物体例橡胶绝缘体 --电良导体--电能自由运半导体名字暗示处于两者间通情况象绝缘体某种条件导电

半导体光电材料论文选题方向有哪些

半导体半导体发展前景会比较好吧而且你数电模电都不好选半导体

注重选题的实用价值，选择具有现实意义的题目理论联系实际，运用自己所学的理论知识对实践活动进行研究，提出自己的见解，探讨解决问题的方法，不仅能使自己所学的书本知识得到一次实际的运用，而且能提高自己分析问题和解决问题的能力。有现实意义的题目大致有两个来源：(1)现实社会中急需回答的重大或热点问题。文科题目大多来源于此;(2)在本地区、本部门、本行业工作实践中遇到的理论或现实问题。 注重选题的创新价值，选择具有新意的题目毕业论文成功与否、质量高低、价值大小，很大程度上取决于论文是否有新意。所谓新意，即论文中表现自己的新看法、新见解、新观点或在某一方面、某一点上能给人以新的启迪。论文有新意，就有了灵魂，有了存在的价值。新意可从以下四个方面来考虑：(1)观点、选题、材料直至论证方法都是新的。这类论文写好了，价值高，影响力大，但难度大。选择这类题目，须对某些问题有相当深入的研究，且有扎实的理论功底和写作经验。对于毕业论文来讲，限于学院的条件，要十分慎重，不提倡选择此类题目。(2)用新的材料论证旧的课题，从而提出新的或部分新的观点或看法。(3)以新的角度或新的研究方法重做已有的课题，从而得出全部或部分新观点。(4)对已有的观点、材料、研究方法提出质疑，虽然没有提出自己新的看法，但能够启发人们重新思考问题。以上四个方面只要能做到其中一点，就可以认为文章的选题有了新意。以上就是关于论文选题方向的相关分享，总之，在选题的方向确定以后，还要经过一定的调查和研究，来进一步确定选题的范围，以至最后选定具体题目。

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半导体光电材料与器件（有机电致发光器件，薄膜晶体管器件，光学晶体材料）发表的部分论文[1] XW Zhang， XY Jiang， MA Khan， J Li， L Zhang， J Cao， WQ Zhu， ZL Zhang， Colour tunability of blue top-emitting organic light-emitting devices with single-mode resonance and improved performance by using C60 capping layer and dual emission layer， J P D: A P 42 (2009) 145106 (8pp)[2] XW Zhang， J Li， L Zhang， XY Jiang， K Haq， WQ Zhu， ZL Zhang， Top-emitting organic light-emitting device with high efficiency and low voltage using a silver-silver microcavity， Thin Solid Films 518 (2010) 1756-[3] XW Zhang， J Li， MA Khan， L Zhang， XY Jiang， K Haq， WQ Zhu， ZL Zhang， Improved chromaticity and electron injection in blue organic light-emitting device by using a dual electron-transport layer with hole-blocking function， S S T 24 (2009) 075021 (5pp)[4] XW Zhang， XY Jiang， MA Khan， J Cao， JW Ma， L Zhang， J Li， K Haq， WQ Zhu， ZL Zhang， Enhanced electron injection in organic light-emitting devices by using a composite electron injection layer composed of 8-hydroquinolatolithium and cesium oxide， Solid State Communications 149 (2009) 652-[5] XW Zhang， MA Khan， XY Jiang， J Cao， WQ Zhu， ZL Zhang， Electron injection property at the organic-metal interface in organic light-emitting devices revealed by current-voltage characteristics， Physica B 404 (2009) 1247-[6] XW Zhang， J Li， L Zhang， HP Lin， XY Jiang， WQ Zhu， ZL Zhang， Improved performance of Si-based top-emitting organic light-emitting device using MoOx buffer layer， Synthetic Metals 160 (2010) 788-[7] XW Zhang， Z Zhao， P Zhang， RB Ji， QB Li， Comparison of CdZnTe crystals grown by the Bridgman method under Te-rich and Te-stoichiometric conditions and the annealing effects， J C Growth 311 (2009) 286-[8] XW Zhang， BD Ding， J Li， L Zhang， XY Jiang， WQ Zhu， ZL Zhang， Red top-emitting organic light-emitting device using 6，13-di-(3，5-diphenyl) phenylpentacene doped emitting system， Solid State Communications 150 (2010) 1132-[9] J Li， XW Zhang， L Zhang， K Haq， XY Jiang， WQ Zhu， ZL Zhang， Performance enhancement of organic thin-film transistors using WO3-modified drain/source electrodes， S S T 24 (2009) [10] J Li， XW Zhang， L Zhang， H Zhang， XY Jiang， K Haq， WQ Zhu， ZL Zhang， MoOx interlayer to enhance performance of pentacene-TFTs with low-cost copper electrodes， Synthetic Metals 160 (2010) 376-[11] J Li， XW Zhang， L Zhang， K Haq， XY Jiang， WQ Zhu， ZL Zhang， Improving organic transistor performance through contact-area-limited doping ， Solid State Communications 149 (2009) 1826-[12] J Li， XW Zhang， L Zhang， H Zhang， XY Jiang， WQ Zhu， ZL Zhang， Effect of a SiNx insulator on device properties of pentacene-TFTs with a low-cost copper source/drain electrode， S S T 25 (2010) [13] L Zhang， J Li， XW Zhang， XY Jiang， ZL Zhang， High performance ZnO-thin-film transistor with Ta2O5 dielectrics fabricated at room temperature， A P L 95 (2009) [14] J Li， XW Zhang， L Zhang， HP Lin， H Zhang， XY Jiang， ZL Zhang， The feasibility of using an Al-alloy film as the source/drain electrode in a microcrystalline silicon thin-film transistor， Solid State Communications 150 (2010) 1560-[15] J Li， L Zhang， XW Zhang， H Zhang， XY Jiang， DB Yu， WQ Zhu， ZL Zhang， Reduction of the contact resistance in copper phthalocyanine thin film transistor with UV/ozone treated Au electrodes， Current Applied Physics 10 (2010) 1302-[16] L Zhang， J Li， XW Zhang， DB Yu， HP Lin， K Haq， XY Jiang， ZL Zhang， Low-voltage-drive and high output current ZnO thin-film transistors with sputtering SiO2 as gate insulator， Current Applied Physics 10 (2010) 1306-[17] L Zhang， J Li， XW Zhang， XY Jiang， ZL Zhang， High-performance ZnO thin film transistors with sputtering SiO2/Ta2O5/SiO2 multi-layer gate dielectric， Thin Solid Films 518 (2010) 6130-[18] HP Lin， DB Yu， XW Zhang， J Li， L Zhang， XY Jiang， ZL Zhang， Enhancing color purity and efficiency of white organic light-emitting diodes using a double-emitting layer， S S T 25 (2010)