学术论文百科

有关芯片制造的论文选题题目怎么写

发布时间:2024-07-07 06:46:19

有关芯片制造的论文选题题目怎么写

集成电路芯片封装技术浅谈 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来,在20多年时间内,CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ,数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上,接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出(I/O)引脚从几十根,逐渐增加到几百根,下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。 对于CPU,读者已经很熟悉了,286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装,知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳,它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此,封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁,从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM,技术指标一代比一代先进,包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,引脚数增多,引脚间距减小,重量减小,可靠性提高,使用更加方便等等。 下面将对具体的封装形式作详细说明。 一、DIP封装  70年代流行的是双列直插封装,简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 适合PCB的穿孔安装; 比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 操作方便。  DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式,塑料包封结构式,陶瓷低熔玻璃封装式),如图2所示。  衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例,其芯片面积/封装面积=3×3/24×50=1:86,离1相差很远。不难看出,这种封装尺寸远比芯片大,说明封装效率很低,占去了很多有效安装面积。  Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装  80年代出现了芯片载体封装,其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package),封装结构形式如图3、图4和图5所示。  以5mm焊区中心距,208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例,外形尺寸28×28mm,芯片尺寸10×10mm,则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:8,由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 封装外形尺寸小,寄生参数减小,适合高频应用; 操作方便; 可靠性高。  在这期间,Intel公司的CPU,如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装  90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用,LSI、VLSI、ULSI相继出现,硅单芯片集成度不断提高,对集成电路封装要求更加严格,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大。为满足发展的需要,在原有封装品种基础上,又增添了新的品种--球栅阵列封装,简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。  BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: I/O引脚数虽然增多,但引脚间距远大于QFP,从而提高了组装成品率; 虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,简称C4焊接,从而可以改善它的电热性能: 厚度比QFP减少1/2以上,重量减轻3/4以上; 寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高; 组装可用共面焊接,可靠性高; BGA封装仍与QFP、PGA一样,占用基板面积过大;  Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管),功耗很大的CPU芯片,如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA,并在外壳上安装微型排风扇散热,从而达到电路的稳定可靠工作。 四、面向未来的新的封装技术  BGA封装比QFP先进,更比PGA好,但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进,研制出另一种称为μBGA的封装技术,按5mm焊区中心距,芯片面积/封装面积的比为1:4,比BGA前进了一大步。  1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1的封装结构,其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说,单个IC芯片有多大,封装尺寸就有多大,从而诞生了一种新的封装形式,命名为芯片尺寸封装,简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 封装面积缩小到BGA的1/4至1/10,延迟时间缩小到极短。  曾有人想,当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时,能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 封装延迟时间缩小,易于实现组件高速化; 缩小整机/组件封装尺寸和重量,一般体积减小1/4,重量减轻1/3; 可靠性大大提高。  随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用,人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上,从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革,由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。 随着CPU和其他ULSI电路的进步,集成电路的封装形式也将有相应的发展,而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。

工程硕士的学位论文的选题可以直接来源于生产实际或具有明确的生产背景和应用价值。学位论文选题应具有一定的先进性和技术难度,能体现工程硕士研究生综合运用科学理论、方法和技术手段解决工程实际问题的能力。学位论文选题可以是一个完整的集成电路工程项目,可以是工程技术研究专题,也可以是新工艺、新设备、新材料、集成电路与系统芯片新产品的研制与开发。学位论文应包括:课题意义的说明、国内外动态、设计方案的比较与评估、需要解决的主要问题和途径、本人在课题中所做的工作、理论分析、设计计算书、测试装置和试验手段、计算程序、试验数据处理、必要的图纸、图表曲线与结论、结果的技术和经济效果分析、所引用的参考文献等,与他人合作或前人基础上继续进行的课题,必须在论文中明确指出本人所做的工作。

这有一系列的毕业论文qq310852504

数据库,或者google scholar

有关芯片制造的论文选题题目怎么选

工程硕士的学位论文的选题可以直接来源于生产实际或具有明确的生产背景和应用价值。学位论文选题应具有一定的先进性和技术难度,能体现工程硕士研究生综合运用科学理论、方法和技术手段解决工程实际问题的能力。学位论文选题可以是一个完整的集成电路工程项目,可以是工程技术研究专题,也可以是新工艺、新设备、新材料、集成电路与系统芯片新产品的研制与开发。学位论文应包括:课题意义的说明、国内外动态、设计方案的比较与评估、需要解决的主要问题和途径、本人在课题中所做的工作、理论分析、设计计算书、测试装置和试验手段、计算程序、试验数据处理、必要的图纸、图表曲线与结论、结果的技术和经济效果分析、所引用的参考文献等,与他人合作或前人基础上继续进行的课题,必须在论文中明确指出本人所做的工作。

要考虑自己的能力和时间要求,智能制造相对来说更宏观一些,内容更广一些,而智能控制技术相对来说要精细一些,内容更深一些。论文选题可遵循以下几条原则:选择自己所学专业范围之内,体现专业素养,综合考虑自己的能力和时间要求,选题选择大小适中,所选题目与生活相关,通过研究帮助解决现实中的问题。智能制造,源于人工智能的研究,一般认为智能是知识和智力的总和,前者是智能的基础,后者是指获取和运用知识求解的能力。智能控制是具有智能信息处理、智能信息反馈和智能控制决策的控制方式,是控制理论发展的高级阶段,主要用来解决那些用传统方法难以解决的复杂系统的控制问题。

有关芯片制造的论文选题题目

《生物芯片技术》陈忠斌 第九章:生物芯片信号检测技术。第十章:生物芯片生物信息学。

数据库,或者google scholar

有关芯片制造的论文题目怎么写

课题1:推力滚子轴承外罩冲压工艺与(某一冲压工序)模具设计 指导教师:刘良瑞 推力滚子轴承外罩的材料:08或10,年产量:6万件 要求:设计推力滚子轴承外罩的冲压工艺;选某一冲压工序,完成该工序模具的设计计算工作;用AutoCAD绘制冲压工艺卡(绘图比例不作要求,打印在A4图纸上)两张,模具总装图(绘图比例1:1,打印在A3图纸上)一张,凸模,凹模,凸凹模或固定板零件图(绘图比例1:1,打印在A4图纸上)各一张;编写设计说明书(不少于4000字);上交电子文档和打印文档 课题2:我国模具制造的发展趋势 指导教师:刘良瑞 要求:进行调查研究,查阅中外文献,论点要鲜明,论据要充分,图文并茂;论文不少于5000字;上交电子文档和打印文档 课题3:冲裁模压力中心计算的快捷方法 指导教师:刘良瑞 要求:查阅中外文献,利用专业知识进行比较,分析,探求新的,快捷的计算方法,论据要充分,图文并茂;论文不少于5000字;上交电子文档和打印文档 课题4:金属手柄冲裁工艺与模具设计 指导教师:陈坚 工件名称:手柄 生产批量:中批量 材料:Q235-A钢 材料厚度:2mm 工件如下图所示: 设计要求: 1,对此工件进行成形工艺设计,包括工艺分析及选择方案,工艺计算,制定冲压工艺方案,确定模具结构尺寸和选择压力机; 2,编写冲压工艺过程卡片; 3,要求绘制冲模总装配图一张和部分主要零件图(包括落料凸模 ,冲孔凸模,凹模,导料板和卸料部件等零件图)各一张; 4,完成设计计算说明书一份(字数不少于5000字); 5,上交电子文档和打印文档 课题5:金属盖落料拉深工艺与模具设计 指导教师:陈坚 零件名称:盖 生产批量:大批量 材料:镀锌铁皮 厚度:1mm 设计任务: 1,对此工件进行成形工艺设计,包括工艺分析及选择方案,工艺计算,制定冲压工艺方案,确定模具结构尺寸和选择压力机; 2,编写冲压工艺过程卡片; 3,要求绘制冲模总装配图一张和部分主要零件图(包括落料凹模,凸凹模,卸料板和拉深凸模零件图)各一张; 4,完成设计计算说明书一份(字数不少于5000字); 5,上交电子文档和打印文档 课题6:落料凹模的制造 指导教师:郭胜 落料凹模材料Cr12,硬度60—64HRC 要求:根据落料凹模的图纸和质量技术要求,拟定合理的工艺方案,并对所拟定的工艺方案进行技术和经济效益的综合分析及评价,编制加工工艺卡(用AutoCAD绘制,打印在A4图纸上);根据拟定的工艺卡,能正确选用机床,刀具,夹具,量具等工艺装备和工艺参数,完成落料凹模的加工(在加工时,允许采用45钢代替,并可以不热处理); 编写工艺设计说明书(不少于3000字);上交电子文档和打印文档并提供样品 课题7:转子芯片冲头的制造 指导教师:郭胜 冲头材料DF—2, 60—62HRC(淬火温度800—850℃,油冷,回火温度180—225℃,60—62HRC,用作五金箔片冲压模,各种测规) 要求:根据转子芯片冲头的图纸和质量技术要求,拟定合理的工艺方案,并对所拟定的工艺方案进行技术和经济效益的综合分析及评价,编制加工工艺卡(用AutoCAD绘制,打印在A4图纸上);根据拟定的工艺卡,能正确选用机床,刀具,夹具,量具等工艺装备和工艺参数,完成导正销的加工(在加工时,允许采用45钢代替,并可以不热处理); 编写工艺设计说明书(不少于3000字);上交电子文档和打印文档并提供样品 课题8:塑料盖子注塑模设计 指导教师:黄常翼 材料:PP-R 收缩率:5% 技术要求:内表面拔模斜度5°,一模四件,零件顶部打标"HGZY+学号" 设计内容及要求:来源: 1)分析零件的成形工艺性,制品的基本参数的计算及注射机选用,模具类型及结构的确定; 2)模具和成型机械关系的校核; 3)模具零件的必要计算; 4)使用AutoCAD绘制模具装配图(绘图比例1:1,打印在A3图纸上)一张,绘制型腔,型芯及重要零部件零件图(绘图比例1:1,打印在A4图纸上)共五张; 5)编写设计说明书(不少于4000字); 6)要上交电子文档和打印文档 课题9:浅谈激光加工技术在模具制造中的应用 指导教师:黄常翼 要求:进行调查研究,查阅中外文献,论点要鲜明,论据要充分,图文并茂;论文不少于5000字,摘要200-300字,参考资料不少于5篇;上交电子文档和打印文档 课题10:垫圈冲孔—落料复合模设计 指导教师:舒剑峰 冲件名称:垫圈 冲件材料:10 冲压料厚:1mm

你的要求和悬赏不成比例,至少也要100起底嘛~~ 还有,像这种题目,答案超长超大的,你应该留个邮箱来接收别人给你的答案。

英文参考文献可以上google scholar 中文参考文献 上知网,万方等数据库搜一下

资料含有知识产权,不可随意发布····%E5%BC%82%E8%B4%A8%E7%BB%93%E6%9C%89%E6%9C%BA%E5%A4%AA%E9%98%B3%E8%83%BD%E7%94%B5%E6%B1%A0%E6%80%A7%E8%83%BD%E6%8F%90%E9%AB%98%E7%9A%84%E7%A0%94%E7%A9%Bpdf这个文档你看看吧。也许有用由于技术进入门槛高,投资收益高、持续时间长,电池新材料领域成为企业尤其是上市公司扩大利润来源、提升业绩的重点产品之一。电池正极、负极材料、电解液市场已相对成熟,而锂电池隔膜的国产化过程蕴含着较大的市场机会;太阳能电池市场发展迅速,技术不断进步,有机材料将是太阳能电池材料的首选,市场潜力巨大;燃料电池材料市场资金投入不足,材料制备和技术工艺有待突破。全球市场现状(1)电池市场增长迅速,带动电池新材料市场成长 随着全球经济发展对能源材料需求增加,以及手机、笔记本电脑、数码相机、摄像机、汽车等产品对新型、高效、环保能源材料的强劲需求,全球锂电池、太阳能电池、燃料电池发展迅速,从而带动了相关材料产业的发展,电池新材料市场稳步成长。从市场规模看,2000年全球电池新材料市场规模为8亿美元,2004年达到4亿美元,2000~2004年复合增长率为3%。 (2)锂电池材料市场规模受价格变动略有波动,市场份额基本稳定 在锂电池市场增长的拉动下,锂电池材料整体市场呈上升趋势。2000年销售额为7亿美元,但由于价格的波动,2001年降为9亿美元,之后有所上升,2004年达到8亿美元,2000~2004年复合增长率为4%。在锂电池材料细分市场,价格的下降造成锂电池部分材料销售额的下降。从锂电池材料细分市场份额看,正极材料、负极材料、电解液、隔离膜用材料所占市场份额基本稳定。 (3)太阳能电池市场规模上升,对硅材料需求增长 在太阳能电池中,硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。随着全球太阳能电池的广泛应用,太阳能电池硅材料需求增加。在太阳能电池重要原材料硅片市场,全球市场继续保持上升趋势,2004年达到4亿美元,2000~2004年复合增长率为6%。 (4)燃料电池发展潜力受关注,关键材料和工艺有待突破 燃料电池因具有能量密度高、无须充电、长时间使用、低噪声、低污染等特点,目前受到极大的重视。由美国发起建立的氢能经济国际合作组织(IPHE),经过巴西、加拿大、中国、日本、韩国、英国等国加盟之后,成为协调氢燃料研究及技术开发的国际机制。2003年全球有超过1000家企业及研究机构参与燃料电池材料、组件及系统技术研发。2004年全球燃料电池材料市场规模达到2亿美元。 在材料方面,催化剂、导电膜和双极板的供应、材质是影响未来燃料电池市场成长的因素。以质子交换膜材料为例,全球主要燃料电池开发国家均投入相当大的人力和物力研究开发质子交换膜,但大多局限在几种过去已知的质子交换膜材料种类上。由于现阶段这些质子交换膜特性无法完全满足实际应用的要求,目前技术的进展离大规模应用尚有一段距离。未来产品趋势(1)锂钴镍氧化物、纳米化碳材、有机电解液混合使用、薄型化隔离膜是未来锂电池材料的发展方向 在锂电池正极材料方面,可供选择的材料有钴酸锂(LiCoO2)、镍酸锂(LiNiO2)、锰酸锂(LiMnO4)及上述复合氧化物等,未来锂钴镍氧化物有可能取代目前锂钴氧化物的正极材料。 目前常用的负极材料是中间相碳微球,具有球状结构、堆积密度大、具有层状分子平行排列结构,是锂电池负极代表性材料,未来可能采用纳米化碳材(Nano-sized Carbon Materia1)。 电解液方面,近年来主要发展趋势是将多种不同性质的有机电解液加以混合使用,例如低黏度的二甲基乙烷(DME)、二甲基碳酸盐(DMC)及二甲基亚砜(DMSO)等。 隔离膜材料一般采用聚乙烯、聚丙烯或其它树脂多孔膜,技术趋势在于薄型化。 (2)硅太阳能电池暂居市场主导,薄膜太阳能电池成为未来市场主流 由于光电能转换效率较其它种类的太阳电池高,硅太阳能电池现在仍然是太阳能市场的主流。非晶硅太阳能电池长期使用时稳定性有问题;CdS/CdTe效率和非晶硅太阳能电池差不多,但有环保问题:另外CIS(Copper Indium Selenide)经济效益不高,短期内实现商品化有困难,化学太阳能电池使用期限及稳定性都有问题。由于薄膜太阳能电池具有低生产成本的特性,且具有适于大面积制造的优势,故长期而言,薄膜太阳能电池可能成为市场主流。 (3)燃料电池触媒材料:多孔结构、高效、高活性、高分散性 燃料电池的电极是燃料发生氧化反应与还原剂发生还原反应的电化学反应场所,其性能的好坏关键在于触媒的性能、电极的材料与电极的制造等。燃料电池触媒材料的多孔结构能提高燃料电池的实际工作电流密度与降低极化作用,增加参与反应的电极表面积。以DMFC触媒为例。现阶段DMFC触媒主要是采用贵金属基触媒,而贵金属基触媒的成本高、催化活性不理想。因此,高效、高活性、高分散性是燃料电池触媒材料的发展方向。

有关芯片制造的论文题目怎么写啊

数据库,或者google scholar

这有一系列的毕业论文qq310852504

英文参考文献可以上google scholar 中文参考文献 上知网,万方等数据库搜一下

相关百科
热门百科
首页
发表服务